Рубрики



Напряжение грунта на подпорную стенку


Отключите adBlock! Равнодействующая активного давления равна площади треугольника и выражается формулой:. Пусть на поверхности засыпки действует равномерно распределенная нагрузка q.

Таким образом, эпюра начнется в точке на глубине h кр от верха стенки рис. Для грунта со сцеплением эпюра пассивного давления трапецеидальная, то есть здесь учет сцепления увеличивает давление:. Ограничиваемся рассмотрением гладкой вертикальной стенки с горизонтальной засыпкой рис.

Рассмотрим напряжения в точке задней грани стенки на глубине z. С помощью выражения 4. В формулах 4.

С помощью выражения 4. Но предоставляет возможность бесплатного использования. В зависимости от величины и направления возможного смещения стенки на нее может действовать давление покоя, активное распор или пассивное давление отпор.

Напряжение грунта на подпорную стенку

Считаем, что до этой глубины грунт не оказывает давления на стенку. Пусть на поверхности засыпки действует равномерно распределенная нагрузка q. Нижняя ордината эпюры определится из УПР 2.

Напряжение грунта на подпорную стенку

Равнодействующая активного давления равна площади треугольника и выражается формулой: Для грунта со сцеплением эпюра пассивного давления трапецеидальная, то есть здесь учет сцепления увеличивает давление:. Отключите adBlock!

Различают гравитационные и шпунтовые подпорные стенки рис. Равнодействующая активного давления равна площади треугольника и выражается формулой:. Пусть на поверхности засыпки действует равномерно распределенная нагрузка q.

Рассмотрим напряжения в точке задней грани стенки на глубине z. Ограничиваемся рассмотрением гладкой вертикальной стенки с горизонтальной засыпкой рис. Как подпорные стенки работают также стены подвалов зданий и подземных сооружений.

Рост первичной клеточной стенки II. В зависимости от величины и направления возможного смещения стенки на нее может действовать давление покоя, активное распор или пассивное давление отпор. Равнодействующая активного давления равна площади треугольника и выражается формулой:

Очевидно, для случаев а и б справедливы формулы 4. В зависимости от величины и направления возможного смещения стенки на нее может действовать давление покоя, активное распор или пассивное давление отпор. Таким образом, эпюра начнется в точке на глубине h кр от верха стенки рис.

Основной нагрузкой для них является боковое давление грунта. Для получения формул равнодействующих пассивного давления достаточно записать площади эпюр.

Есть нарушение авторского права? Активное давление возникает даже при небольших смещениях стенки от грунта засыпки; пассивное — при значительных смещениях стенки на засыпку. Как то на паре, один преподаватель сказал, когда лекция заканчивалась - это был конец пары: Равнодействующая активного давления равна площади треугольника и выражается формулой:.

Рост первичной клеточной стенки II. В этом случае эпюра активного давления трапецеидальная и равнодействующая или площадь эпюры рис.

Есть нарушение авторского права? Дата добавления: Ограничиваемся рассмотрением гладкой вертикальной стенки с горизонтальной засыпкой рис.

График изменения давления в зависимости от перемещения стенки показан на рис. Отключите adBlock! Рассмотрим напряжения в точке задней грани стенки на глубине z.

Нижняя ордината эпюры определится из УПР 2. Активное давление возникает даже при небольших смещениях стенки от грунта засыпки; пассивное — при значительных смещениях стенки на засыпку. Для получения формул равнодействующих пассивного давления достаточно записать площади эпюр.

В формулах 4.

Есть нарушение авторского права? Подпорная стенка удерживает массив грунта от обрушения. В состоянии покоя, когда нет боковых смещений, значение коэффициента бокового давления определяется формулой 2. Влияние атмосферного давления на организм.

В формулах 4. График изменения давления в зависимости от перемещения стенки показан на рис.



Искусство минет видео ролик
Секс сопротивление видео
Порно подборка мужских оргазмов видео
Порно грудастых блондинок секретарш
Плакат подарок гей это для тебя
Читать далее...